OKIデータ(社長:杉本晴重、本社:東京都港区)のLED事業会社であるOKIデジタルイメージング(社長:菊地曠、本社:東京都八王子市、以下 ODI)は、4月14日から17日まで一ツ橋記念講堂(東京都千代田区)にて開催される「第4回コミュニケーションと連携のための国際ナノテクノロジー会議(International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation)」(以下 INC4)に参加します。
ODIはINC4において、『CMOSとLEDの融合技術』の実用化に世界で初めて成功した企業として、16日の”Bridge to Photonics”のセッションで講演します。講演では、異種材料を分子間結合力を用いて接合する独自のナノ技術「エピフィルム・ボンディング技術」という新しいコンセプトによる、シリコンと発光素子の融合技術の紹介とその展望について発表します。
INC4は、日・米・欧の第一線研究者、産業界のリーダー、政策担当者が一堂に会してナノテクノロジーのグローバル対話と連携を目指して開催されるもので、第一回、第二回の米国、第三回のベルギーに続き、今回は日本で開催されます。世界の著名なナノテク研究者、政策立案者300名が参加し、各地域のナノテクR&Dプログラムの紹介、ナノエレクトロニクスとその周辺のバイオ、MEMS、フォトニクス、エネルギーを含めた研究開発のオーバービュー、社会的影響と教育などのセッションが予定されています。
今回ODIが講演する「エピフィルム・ボンディング技術」は、分子間力という物理現象を異種材料を接合する半導体量産技術として、世界で初めて確立した技術です。分子間力接合で製品として十分な接合強度を実現するためには、材料表面を分子サイズで近接させることが必要です。そのため接合表面には1ナノメーター・オーダーの平坦性が要求されます。ODIでは、このナノ技術を量産で実用化することに成功し、発光ダイオード(LED)の発光に必要なエピタキシャル層を化合物半導体から剥離し、異種材料であるシリコンのドライバIC(駆動用回路)上に分子間結合力を用いて接合させたプリンタ用LEDヘッドの量産化を成功させました。本技術は、日本の産業界でも高く評価されており、第5回新機械振興賞「経済産業大臣賞」、第2回ものづくり日本大賞「優秀賞」はじめ多くの賞を受賞しています。
半導体業界・コンピュータ業界を牽引してきた「ムーアの法則」に沿った高集積密度化に限界が見え始め、シリコン集積回路だけではなく他の機能を集積化し新しいものを創造していこうとする "More than Moore" の考え方が、近年、技術開発の大きな流れを作り出しています。シリコンと光を融合する技術は「シリコン・フォトニクス技術」と呼ばれ、 "More than Moore" の観点から大きな注目が寄せられ実用化が期待されています。
しかしながら、化合物半導体を使った発光効率が高い発光素子とシリコンとを融合することは大変困難で、シリコン・フォトニクス技術の実用化の大きな壁となっていました。「エピフィルム・ボンディング技術」は、この困難な課題を解決しシリコン・フォトニクス技術を実用化に向け大きく前進させる技術です。「エピフィルム・ボンディング技術」は、今後シリコン・フォトニクス技術をはじめ、異種材料融合技術を支える鍵となる技術として様々な分野での実用化が期待されています。
「INC4概要」
開催日:2008年4月14日〜17日(14日:Nanotech in Japan)
場 所:一橋記念講堂(東京都千代田区一ツ橋2丁目1番2号)
使用言語:英語(15-17日)、日本語(14日)
主催:
国内 INC4日本委員会(幹事機関:(独)物質・材料研究機構(NIMS)、(社)電子情報技術産業協会(JEITA)、ナノテクノロジービジネス協議会(NBCI))
米国 米国国立科学財団(NSF)、米国半導体工業会(SIA)、米国半導体研究組合(SRC)、米国国立標準技術研究所(NIST)
欧州 欧州委員会(EC)、欧州ナノエレクトロニクス戦略審議会(ENIAC)、フラウンホーファー協会マイクロエレクトロニクス研究連合(Fraunhofer VμE)、大学間共同マイクロエレクトロニクスセンター(IMEC)、仏原子力庁電子・情報技術研究所(CEA-LETI)
後援:内閣府、文部科学省、経済産業省
――― この件に関する報道機関からのお問い合わせ先 ―――
OKIデータ 広報部 電話:03-5445-6164
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